一、技术核心与优势

金相显微镜通过50-2000倍光学放大，实时观测外延片表面纳米级缺陷，具备非破坏性、成本低的特点，适合量产线批量检测。

二、三大应用场景

1. 表面缺陷精准检测

• 位错蚀坑：Si外延片经腐蚀后，显微镜可统计三角形蚀坑密度（理想值＜10⁴ cm⁻²）。

• 台阶流缺陷：GaN外延片用微分干涉（DIC）技术，识别0.1μm级台阶起伏。

• 颗粒污染：暗场照明下，微米级污染物呈高亮斑点，可溯源腔体污染。

2. 异质结界面分析

偏光模式观察InGaAs/InP等界面应力条纹，量化晶格失配度，理想界面平整度＜1nm（3个原子层）。

3. 工艺溯源与良率提升

通过“低倍定位+高倍表征”，某Si外延片企业引入AI分析后，缺陷分类效率提升80%，良率提高12%。

三、技术升级方向

• 硬件：LED光源DIC模块提升对比度，电动载物台实现8英寸晶圆全片扫描。

• 软件：AI系统自动识别5类缺陷（位错、颗粒等），准确率超85%。

• 新材料适配：SiC外延片采用离子束抛光制样，GaN引入紫外光源提升分辨率至150nm。

四、量产线应用要点

• 衬底检测：1000倍观察机械损伤层（＜1μm）。

• 生长监控：抽检表面粗糙度（Ra＜0.5nm）、位错密度。

• 封装验证：500倍观察外延层与电极界面结合力。